《電子工業專用設備》雜志論文投稿要求:
Ⅰ、編號應頂格書寫。有標題時,在編號后空一字再寫標題,另起一行寫具體內容。無標題時,編號后空一字寫具體內容。
Ⅱ、第一作者必須注明出生年月、性別、籍貫、職稱、學歷、從事的研究方向或領域;通訊作者必須注明其職稱、學歷以及從事的研究方向或領域。
Ⅲ、文稿要求論述充分有力,研究方法嚴謹創新。
Ⅳ、參考文獻按出現的次序列在文末,并在文中對應位置以右上角方括弧中的數字表示。詳細參考文獻格式,見往期雜志。
Ⅴ、摘要是以提供文獻內容梗概為目的,不加評論和補充解釋,簡明、確切地記述文獻重要內容的短文。
雜志發文主題分析如下:
機構名稱 | 發文量 | 主要研究主題 |
中國電子科技集團公司... | 646 | 半導體;光刻;晶圓;電機;拋光 |
中國電子科技集團公司... | 229 | 真空;電池;低溫共燒陶瓷;太陽能... |
中國電子科技集團公司... | 168 | 電池;太陽能電池;太陽能;均勻性... |
中國電子科技集團公司... | 118 | 單晶;硅單晶;硅片;晶片;區熔 |
電子工業部 | 115 | 半導體;光刻;曝光機;切片;切片... |
北京中電科電子裝備有... | 92 | 晶圓;劃片;劃片機;鍵合;封裝 |
中華人民共和國工業和... | 75 | 光刻;電路;電子專用設備;集成電... |
中國電子科技集團公司 | 68 | 電路;集成電路;化學機械拋光;機... |
中國電子科技集團第十... | 66 | 光刻;刻蝕;激光;光刻機;投影光... |
中國科學院 | 54 | 光刻;光刻機;電路;半導體;電子... |
雜志往期論文摘錄展示
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制取高濃度臭氧超凈水方法及其設備
晶圓激光劃片技術簡析
基于Fluent的半導體濕法腐蝕過程中的廢氣排放流場研究
硅晶片電阻率測量技術的研究
區熔硅單晶中的漩渦缺陷及其影響因素
Solidworks Simulation熱分析在加熱工作臺改進設計中的應用
鋼帶傳動的力學特性分析及其應用
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