《固體電子學研究與進展》雜志論文投稿要求：
Ⅰ、引文標注采用文后注形式，采用[1][2][3]……的形式統一編碼。文獻征引請使用參考文獻標準格式。
Ⅱ、內容摘要為文章主要觀點之提煉，字數一般控制在200——300字為宜；關鍵詞一般為3至5個（提供英文摘要及關鍵詞更佳）。
Ⅲ、篇名：篇名應簡明、具體、確切，能概括文章的特定內容，符合編制題錄、索引和檢索的有關原則，一般不超過20個字。
Ⅳ、作者身份、職稱、工作單位、通信地址及郵政編碼、電話、傳真、電子信箱等信息。
Ⅴ、注釋：凡對文章篇名、作者及文內某一特定內容所作的必要的解釋或說明為注釋。用“①、②、③、④……”編號，置于正文之后。
雜志發文主題分析如下：
| 機構名稱 | 發文量 | 主要研究主題 |
| 南京電子器件研究所 | 925 | 晶體管；電路；放大器；單片；GAAS |
| 東南大學 | 317 | 電路；半導體；放大器；晶體管；集... |
| 復旦大學 | 231 | 電路；功耗；集成電路；低功耗；半... |
| 中國科學院 | 148 | 晶體管；半導體；分子束；分子束外... |
| 西安電子科技大學 | 116 | 半導體；電路；金屬氧化物半導體；... |
| 浙江大學 | 77 | 電路；半導體；芯片；金屬氧化物半... |
| 清華大學 | 70 | 電路；集成電路；計算機；半導體；... |
| 天津大學 | 69 | 隧穿；電路；晶體管；共振隧穿；負... |
| 南京大學 | 68 | 發光；半導體；納米；氮化鎵；GAN |
| 中國科學院微電子研究... | 68 | 電路；低噪；低噪聲；晶體管；CMOS |
雜志往期論文摘錄展示
基于45 nm SOI工藝的超寬帶毫米波單刀雙擲開關的設計
基于徑向貼片和U形槽的新型雙陷波超寬帶天線
基于六角T型諧振器的小型化低通濾波器的設計
射頻功率放大器互連可靠性的神經網絡建模研究
星載微波固態大功率組件預防微放電效應工藝研究
基于光子晶體波導和腔耦合的光單向傳輸結構
高電容密度硅基MIS芯片電容
一種具有良好溫度穩定性的低功耗CMOS振蕩器
光刻膠流淌實現深亞微米柵工藝
毫米波15WGaAs單片大功率PIN限幅器
