《半導體光電》雜志論文投稿要求：
Ⅰ、正文中標題編排格式為：二級標題用“一”或“一、……”（居中、宋體四號）；三級標題用“（一）”（首行縮進兩格、宋體五號加粗）；四級標題用“1.……”（宋體五號）。
Ⅱ、稿件尾頁包括：英文標題、英文作者姓名、英文作者單位、英文摘要、英文關鍵詞；中文作者信息。
Ⅲ、文題要準確簡明地反映文章內容，一般不宜超過20個字，作者姓名排在文題下。
Ⅳ、作者署名應限于主要參加者，一般不宜超過6名。作者單位應使用標準全稱，并注明所在省份、城市和郵編。
Ⅴ、參考文獻：限為作者親自閱讀、公開發(fā)表過的文獻，只選主要的列入，采用順序編碼制著錄，按其文中出現的先后順序用阿拉伯數字編號，列于文末，并依次將各編號外加方括號置于文中引用處的右上角。
雜志發(fā)文主題分析如下：
| 主題名稱 | 發(fā)文量 | 相關發(fā)文學者 |
| 光纖 | 747 | 胡永明；趙明富；余重秀；黃德修；劉永智 |
| 激光 | 601 | 陳建國；王立軍；趙尚弘；石家緯；何興仁 |
| 半導體 | 480 | 陳建國；石家緯；何興仁；沈光地；羅江財 |
| 光電 | 458 | 何民才；黃啟俊；郭維廉；黃友恕；黃永清 |
| 傳感 | 403 | 趙明富；劉昌舉；祝曉笑；李明；吳治軍 |
| 激光器 | 396 | 陳建國；王立軍；石家緯；何興仁；沈光地 |
| 光學 | 345 | 趙策洲；胡永明；董孝義；李國正；霍力 |
| 圖像 | 341 | 劉昌舉；代少升；祝曉笑；李明；袁祥輝 |
| 發(fā)光 | 333 | 蔣雪茵；張志林；朱文清；許少鴻；姜文龍 |
| 感器 | 330 | 劉昌舉；祝曉笑；李明；吳治軍；趙明富 |
雜志往期論文摘錄展示
基于星形金納米顆粒修飾的81°傾斜光纖光柵生物傳感器
基于誤碼統(tǒng)計的邊沿觸發(fā)器建立時間測量方法
基于熱平衡機理的質子交換爐溫控系統(tǒng)數學模型
電場驅動HgCdTe/CdTe量子阱拓撲相變引起的光吸收增強研究
共摻雜LiGa5O8∶Cr3＋長余輝材料的制備及發(fā)光特性
選擇區(qū)域外延生長中掩模介質表面Ga原子的遷移特性
CH3NH3PbI3鈣鈦礦太陽電池晶粒尺寸及光電性能調控
基于CMOS工藝的抗光噪聲神經微電極
全透明低回滯s-SWCNT/AgNW薄膜晶體管的可控制備
膜厚對泡沫鎳負載TiO2納米薄膜附著度和光電響應的影響
